物理性质：具有银灰色金属光泽，条状，梯形截面，性脆，易断裂，硬度 5.0 左右，微导电，属于典型的半导体。其密度为 5.35g/mL，熔点为 937℃，沸点为 2830℃，不溶于盐酸、硝酸和常碱，但溶于 HF、王水和热的 NaOH 溶液中。

应用领域：主要用于生产锗颗粒、粉末、合金等。同时，它也是制造锗单晶的原料，还可用于掺锗光纤、氯化锗、红外和特种光学镜片、二级晶体管以及各类含锗化合物靶材等的生产。

资源分布与产量：锗在地壳中含量极其稀少，且多伴生于铅锌矿、煤矿等矿石中。中国是世界上的精制锗生产国，在全世界每年生产的 150 公吨金属中约占 70%，其他主要生产国包括俄罗斯和加拿大。

适宜的移动速度范围

区熔锗锭的熔区移动速度通常控制在 15~120mm/h，具体需根据锗料初始纯度、目标纯度、熔区宽度调整：

初始纯度低（如 5N 粗锗）或目标纯度高（如 7N、8N）时，选择偏慢的速度（15~40mm/h），保证杂质充分偏析；

初始纯度较高或追求生产效率时，可适当提高速度（60~120mm/h）。