纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。

晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。

电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。

全球资源分布集中：锗在地壳中含量仅 0.0007%，难以独立成矿，主要伴生于铅锌矿、煤矿等，全球已探明储量仅 8600 吨，中国（41%）、美国（45%）为主要储量国。资源的稀散属性导致原料供给天然受限，直接推高上游开采与初级提纯成本。​