微观结构：铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间，密度高于 7.31g/cm³，热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上，这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。

精铟的制备需经过多步精炼，核心工艺包括：

原料预处理：以锌冶炼副产物（如浸出渣、烟灰）或含铟废料为原料，通过酸浸、萃取等方式初步分离铟。

电解精炼：将粗铟溶解为铟盐溶液（如硫酸铟），通过电解沉积得到纯度约 99.95% 的粗精铟。

深度提纯：

真空蒸馏：在高真空条件下利用铟与杂质的沸点差异（铟沸点 2080℃，杂质如锌沸点 907℃）去除低沸点杂质。

区域熔炼：通过移动加热区使杂质在固液界面重新分布，多次操作后可将纯度提升至 6N 以上。

化学提纯：利用萃取剂（如三丁基氧化膦）或离子交换树脂进一步去除微量金属离子。

靶材原料（占比约 60%）：

用于制备 ITO（氧化铟锡）靶材，生产 LCD、OLED 显示面板的透明导电膜（如手机屏幕、电视面板）。

光伏领域：作为 CIGS（铜铟镓硒）薄膜太阳能电池的关键原料，提升光电转换效率。

合金与特殊材料（占比约 10%）：

铟锡合金：熔点低至 120℃，用于保险丝、牙科材料；铟铅合金可作为核反应堆的中子吸收材料。

铟箔与涂层：高纯铟箔用于真空密封、辐射屏蔽（如 X 射线探测器），或作为耐腐蚀涂层（如海洋工程）。

科研与新兴领域：

量子点显示、钙钛矿电池、柔性电子器件等前沿技术中，精铟作为高纯原料用于薄膜沉积或材料合成。