半导体领域：占比 28%，用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积，在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升，如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。

超高密度成型：超高密度成型工艺（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向，提升溅射薄膜的质量和性能，满足高端应用领域的需求。

物理化学性能

物理性质：

密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。

导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。

化学性质：

常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。

靶材原料（占比约 60%）：

用于制备 ITO（氧化铟锡）靶材，生产 LCD、OLED 显示面板的透明导电膜（如手机屏幕、电视面板）。

光伏领域：作为 CIGS（铜铟镓硒）薄膜太阳能电池的关键原料，提升光电转换效率。