热等静压（HIP）工艺：在高温和高压环境下进行烧结，能够显著提高材料的致密度，减少材料中的孔隙，改善材料的微观结构，使得 ITO 靶材具有更高的电导率和机械强度，但该工艺成本较为昂贵。

精铟的制备需经过多步精炼，核心工艺包括：

原料预处理：以锌冶炼副产物（如浸出渣、烟灰）或含铟废料为原料，通过酸浸、萃取等方式初步分离铟。

电解精炼：将粗铟溶解为铟盐溶液（如硫酸铟），通过电解沉积得到纯度约 99.95% 的粗精铟。

深度提纯：

真空蒸馏：在高真空条件下利用铟与杂质的沸点差异（铟沸点 2080℃，杂质如锌沸点 907℃）去除低沸点杂质。

区域熔炼：通过移动加热区使杂质在固液界面重新分布，多次操作后可将纯度提升至 6N 以上。

化学提纯：利用萃取剂（如三丁基氧化膦）或离子交换树脂进一步去除微量金属离子。

物理化学性能

物理性质：

密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。

导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。

化学性质：

常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。

半导体与电子工业（占比约 25%）：

焊料与封装：利用铟的低熔点和延展性，作为半导体芯片的焊接材料（如倒装焊、热沉连接），可适应精密器件的高温稳定性需求。

化合物半导体：与镓、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探测器（如红外成像器件）。