微观结构：铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间，密度高于 7.31g/cm³，热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上，这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。

热等静压（HIP）工艺：在高温和高压环境下进行烧结，能够显著提高材料的致密度，减少材料中的孔隙，改善材料的微观结构，使得 ITO 靶材具有更高的电导率和机械强度，但该工艺成本较为昂贵。

纯度分级：

4N 精铟：纯度≥99.99%，主要用于普通电子元器件及靶材原料。

5N-6N 精铟：纯度≥99.999%-99.9999%，用于高端半导体、光电材料等领域。

物理化学性能

物理性质：

密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。

导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。

化学性质：

常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。