半导体领域：占比 28%，用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积，在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升，如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。

主要成分：通常由 90% 的氧化铟（In₂O₃）和 10% 的氧化锡（SnO₂）组成，这一比例在实际应用中能实现透明性和导电性的理想平衡。

外观特性：在靶材形态下，颜色通常为浅黄色至浅绿色，而制成薄膜后则具有透明性。

良好的机械和热学特性：硬度较高，在研磨、抛光过程中不易被划伤，保证了薄膜表面的平整性；同时能够承受较高的温度而不发生分解或结构破坏，在高温环境中的抗裂性和耐用性良好，确保了薄膜在溅射和高温条件下的稳定性。

热等静压（HIP）工艺：在高温和高压环境下进行烧结，能够显著提高材料的致密度，减少材料中的孔隙，改善材料的微观结构，使得 ITO 靶材具有更高的电导率和机械强度，但该工艺成本较为昂贵。