半导体领域：纯铟在半导体中用作薄膜层，铟靶材可用于制造高速电动机的轴承涂层，使润滑油均匀分布，还可用于半导体器件的制造，如集成电路、芯片等。
集成电路（IC）制造 用途：作为金属互连层或接触电极材料，用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。 优势：铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜，满足纳米级制程对材料精度的要求。
航空航天与国防科技 1. 红外探测与成像 用途：在红外焦平面阵列（IRFPA）中作为芯片互连材料（如铟柱倒装焊），实现探测器芯片与读出电路的高密度连接。 场景：军用夜视仪、卫星遥感设备、热成像仪等。 2. 高温真空器件 应用：在航空航天用真空电子器件（如行波管、磁控管）中作为密封材料或电极镀膜，利用铟的低蒸气压和抗腐蚀特性。
功率与温度管理 溅射功率： 铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。 直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。 靶材冷却： 采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。 定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。