物理特性：铟靶材呈银色光泽的灰色，熔点为 156.61℃，沸点 2060℃，密度 7.3 g/cm³。质地非常软，能用指甲刻痕，可塑性强，有良好的延展性，可压成片。

化学特性：铟具有较好的化学稳定性，但在一些特定的环境下，如高温、强酸碱等条件下，可能会发生化学反应。铟化合物在真空下蒸发，能够在电子产品和光伏电池生产中形成薄膜。

热压法：把铟粉末在高温和高压下压制成型，能够提高靶材的致密度和机械强度，同时有助于减少气孔和其他缺陷。

冷等静压法：利用液压介质在室温下对铟粉末施加均匀压力使其成型，可制造出高密度和均匀性的靶材，但需要后续的烧结处理来提高其机械性能。

化合物半导体器件

场景：用于制造铟镓砷（InGaAs）、铟磷（InP）等化合物半导体芯片，广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。

作用：提升器件的高频性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

靶材回收与再利用

回收价值：报废铟靶（含溅射过程中产生的碎屑、废膜）可通过化学溶解（如盐酸溶解）、电解精炼等工艺回收铟金属（回收率可达 95% 以上），降低生产成本。

环保要求：回收过程中产生的废水需处理至重金属排放标准（如铟离子浓度≤0.1 mg/L），避免环境污染。