国内外关于ITO废靶材的资源化利用和无害化处置技术的相关研究较多，主要可分为湿法、火法以及火湿法联合三大类。湿法类主要的提取方式为盐酸浸出，浸出液经氧化法或使用铝粉、锌粉等分离铟锡后再置换得到粗铟，该方法的缺点是铟锡分离率低，氧化锡渣等中含铟约1%～2%，铟直收率﹤97%。

在实际生产中，采用蒸馏法分离铟、锡时，可考虑采用微负压系统进行产业化生产的升级改进。通过改善工艺条件和调整技术参数等，以充分的降低能耗，并获得更好的铟、锡分离效果，这也是今后产业化试验研究的主要方向。

ITO（氧化铟锡）靶材是溅射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一种，在显示靶材中占比将近50%。ITO靶材就是将氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型，再高温气氛烧结（1600度，通氧气烧结）形成的黑灰色陶瓷半导体。

目前中国ITO靶材供应超一半左右依赖进口。本土厂商生产的ITO靶材主要供应中低端市场，仅占国内市场30%的份额；而高端TFT-LCD、触摸屏用ITO靶材几乎全部从日本、韩国进口，占据了70%的市场份额。