砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。

砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

贵金属对新技术的发展起着越来越大的作用，被许多国家列为战略物资。由于贵金属在地壳中的储量稀少，含量极低，价格昂贵，且应用广泛，所以对于贵金属的取显得尤其重要。冶金工艺路线是根据待处理物料的特点来制定的，对于处理含贵金属物料的冶金工艺路线，也是根据物料中杂质和贵金属的组分、含量和状态等情况来制定。将含贵金属物料分为 2 类，一类是矿产资源，通常含有 Pt、Pd、Rh、Ir、Os、Ru、Au、Ag、Ni、Cu、Co、Fe、S 等多种有价元素，称为一次资源。另一类是再生资源，它是在使用过程中报废的贵金属制品，这类资源种类繁杂、形态各异，贵金属品位从万分之几(甚至到百万分之几， 即 10 -6级)到几乎纯净金属，称为二次资源。

废焊渣的处理一般采用直接加热分离法。这种方法不仅回收率低，而且由于直接进入大气层的“铅烟”而受到环境的双重污染，已被禁止。在本文中，液体覆盖还原技术，不仅有效地抑制了“铅烟”的挥发，也会导致锡和铅的氧化物还原，使废焊渣的回收率可达90%以上，既保护了环境，又提高了资源的利用效率，并效果理想。