YNS306为一款频率可调、外置MOSFET大电流升压芯片，电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，芯片的输入范围为2.2～15V，该控制器采用独特的控方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。
广泛应：
LCDPanel背光、通讯设备
移动电源、医疗设备、车载电源
应充电器、电动车系统供电
其基本特性如下：
1.提供高精确度参考电压源:0.5V(+/-2%)
2.TotemPole输出PWM信号，用以直接推动NMOS
3.宽工作电压范围：3.6V-15V
4.宽工作频率范围：50KHz~1MHz
5.欠压IC栓锁功能(UVLO)
6.最大PWMDTC限制：75%
7.软开机及短路保护功能(Soft-Startamp;amSCP)
8.省电功能(ShutdowMode)
9.TSSOP-8L封装
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